招標(biāo)公告

1. 招標(biāo)條件

本招標(biāo)項(xiàng)目等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)、硅基等離子體刻蝕機(jī)、InP基等離子體刻蝕機(jī)、GaAs基等離子體刻蝕機(jī) 該項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件，現(xiàn)對(duì)等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)、硅基等離子體刻蝕機(jī)、InP基等離子體刻蝕機(jī)、GaAs基等離子體刻蝕機(jī)進(jìn)行國(guó)內(nèi)公開(kāi)招標(biāo)。

2. 項(xiàng)目概況與招標(biāo)范圍

2.1 招標(biāo)編號(hào)：ZKX20250631A002

2.2招標(biāo)項(xiàng)目名稱(chēng)：等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)、硅基等離子體刻蝕機(jī)、InP基等離子體刻蝕機(jī)、GaAs基等離子體刻蝕機(jī)

2.3 數(shù)量：

等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)          1臺(tái)

硅基等離子體刻蝕機(jī)                  1臺(tái)

InP基等離子體刻蝕機(jī)                1臺(tái)

GaAs基等離子體刻蝕機(jī)             1臺(tái)

2.4 設(shè)備用途：

1）等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)：等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)主要借助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體，利用等離子體的強(qiáng)化學(xué)活性發(fā)生反應(yīng)，從而在基片上沉積出預(yù)期的薄膜，具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。本儀器可沉積氧化硅、氮化硅等材料，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)沉積厚度的精確控制，還可以通過(guò)改變反應(yīng)氣體組分在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)沉積薄膜的折射率，可應(yīng)用于微納結(jié)構(gòu)中的抗腐蝕層、微納電子器件中的絕緣層、波導(dǎo)結(jié)構(gòu)等。

2）硅基等離子體刻蝕機(jī)：等離子體刻蝕機(jī)用于對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行干法刻蝕微納加工，從而制作出設(shè)計(jì)好的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖案。其刻蝕過(guò)程是化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊過(guò)程所共同作用的結(jié)果，其內(nèi)部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線(xiàn)圈相連，使線(xiàn)圈產(chǎn)生感應(yīng)耦合電場(chǎng)，腔室內(nèi)的刻蝕氣體在此電場(chǎng)作用下輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體；另一套與腔室內(nèi)放置石英平臺(tái)和樣品的下方電極相連，用于產(chǎn)生偏置電壓，對(duì)等離子體進(jìn)行加速使其定向作用于樣片表面，并將發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，經(jīng)過(guò)排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機(jī)對(duì)晶圓芯片結(jié)構(gòu)加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優(yōu)點(diǎn)。硅基等離子體刻蝕機(jī)將用于硅光芯片研制過(guò)程中刻蝕光波導(dǎo)和光柵等結(jié)構(gòu)。

3）InP基等離子體刻蝕機(jī)：等離子體刻蝕機(jī)用于對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行干法刻蝕微納加工，從而制作出設(shè)計(jì)好的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖案。其刻蝕過(guò)程是化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊過(guò)程所共同作用的結(jié)果，其內(nèi)部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線(xiàn)圈相連，使線(xiàn)圈產(chǎn)生感應(yīng)耦合電場(chǎng)，腔室內(nèi)的刻蝕氣體在此電場(chǎng)作用下輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體；另一套與腔室內(nèi)放置石英平臺(tái)和樣品的下方電極相連，用于產(chǎn)生偏置電壓，對(duì)等離子體進(jìn)行加速使其定向作用于樣片表面，并將發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，經(jīng)過(guò)排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機(jī)對(duì)晶圓芯片結(jié)構(gòu)加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優(yōu)點(diǎn)。InP基等離子體刻蝕機(jī)將用于InP基半導(dǎo)體激光器芯片研制過(guò)程中刻蝕光波導(dǎo)和光柵等結(jié)構(gòu)。

4）GaAs基等離子體刻蝕機(jī)：等離子體刻蝕機(jī)用于對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行干法刻蝕微納加工，從而制作出設(shè)計(jì)好的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖案。其刻蝕過(guò)程是化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊過(guò)程所共同作用的結(jié)果，其內(nèi)部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線(xiàn)圈相連，使線(xiàn)圈產(chǎn)生感應(yīng)耦合電場(chǎng)，腔室內(nèi)的刻蝕氣體在此電場(chǎng)作用下輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體；另一套與腔室內(nèi)放置石英平臺(tái)和樣品的下方電極相連，用于產(chǎn)生偏置電壓，對(duì)等離子體進(jìn)行加速使其定向作用于樣片表面，并將發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，經(jīng)過(guò)排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機(jī)對(duì)晶圓芯片結(jié)構(gòu)加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優(yōu)點(diǎn)。GaAs基等離子體刻蝕機(jī)將用于GaAs基半導(dǎo)體激光器芯片研制過(guò)程中刻蝕光波導(dǎo)和光柵等結(jié)構(gòu)。

2.5 交貨

2.6 交貨期：合同簽訂后10個(gè)月內(nèi)。

3.投標(biāo)人資格要求

3.1 投標(biāo)人須具有獨(dú)立承擔(dān)民事責(zé)任能力的在中華人民共和國(guó)境內(nèi)注冊(cè)的法人或其他組織，具備有效的營(yíng)業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書(shū)或其它營(yíng)業(yè)登記證書(shū)。

3.2 本次招標(biāo)不接受聯(lián)合體投標(biāo)。

3.3 本次招標(biāo)不接受代理商投標(biāo)。

3.4 投標(biāo)人2022年1月1日至開(kāi)標(biāo)前一日（以合同簽訂時(shí)間為準(zhǔn)）具有等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)、等離子體刻蝕機(jī)的同類(lèi)型產(chǎn)品業(yè)績(jī)：

（1）上述2種產(chǎn)品均須提供同類(lèi)型產(chǎn)品業(yè)績(jī)；

（2）每種產(chǎn)品須提供至少15份業(yè)績(jī)合同（同一業(yè)績(jī)中可同時(shí)包含上述兩種產(chǎn)品），業(yè)績(jī)均須附供貨合同必要部分（須包含合同首頁(yè)及蓋章頁(yè)或者簽署頁(yè)，合同中須有標(biāo)的物名稱(chēng)，且有明確的簽訂時(shí)間）。

3.5 信譽(yù)要求：未被列入″信用中國(guó)” 網(wǎng)站″記錄嚴(yán)重失信主體名單，須提供上述網(wǎng)站截圖證明或提供承諾書(shū)。

3.6投標(biāo)人必須向招標(biāo)代理機(jī)構(gòu)

4.

未在中國(guó)電力招標(biāo)采購(gòu)網(wǎng)（m.fundraiserwreath.com）上注冊(cè)會(huì)員的單位應(yīng)先點(diǎn)擊注冊(cè)。登錄成功后的在招標(biāo)會(huì)員區(qū)根據(jù)招標(biāo)公告的相應(yīng)說(shuō)明獲取招標(biāo)文件！
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編輯：365trade