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PI Curing設(shè)備變更公告(1)

核心提示:各投標11) *顆??刂?0 @0.5um12) *Wafer材質(zhì)兼容Si,EMC,bonding等13) *Boat可旋轉(zhuǎn)14)

各投標

11) *顆??刂?lt;20 @0.5um

12) *Wafer材質(zhì)兼容Si,EMC,bonding等

13) *Boat可旋轉(zhuǎn)

14) *設(shè)備在先進封裝領(lǐng)域(WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝)具有量產(chǎn)經(jīng)驗,裝機量≥2臺

15) 具備快速降溫能力”

修改為:

三、設(shè)備技術(shù)指標

PI Curing爐要求能夠達到如下性能指標:

1)*適用200mm notch晶圓工藝,可cover晶圓厚度400~2000um

2)*支持wafer翹曲度≤±3mm

3)*溫度控制精度:±1℃(150℃~600℃)

4)*Process chamber含氧量控制:≤10ppm

5)*需配備Gas管路: O2,N2

6)*Batch size ≥75片

7)*MTBF大于250小時,uptime ≥90%

8)*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs

9)  *Wafer材質(zhì)兼容Si,EMC,bonding等。

10)  *顆??刂?lt;20 @0.5um

11)  *Wafer材質(zhì)兼容Si,EMC,bonding等

12)  *設(shè)備在先進封裝領(lǐng)域(WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝)具有量產(chǎn)經(jīng)驗,裝機量≥2臺

13)  具備快速降溫能力

3、
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